МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ЦЕНТРУ EL2 В АРСЕНІДІ ГАЛІЮ ЗА РЕЗУЛЬТАТАМИ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНОЇ ДИФУЗІЇ ДОМІШОК

Вивчено природу впливу відпалу та дифузії домішок атомів кадмію і селену на зміну квантової ефективності випромінювання, що індукується центрами EL2 в монокристалах арсеніду галію. Використано порівняльну методику високотемпературної умовах вакууму атмосфери миш'яку. За одержаними результатами здійснено моделювання структурних, випромінювальних інших фізичних властивостей центрів Встановлено, характер степінь зміни випромінювання через ці центри визначаються вакансійним складом кристалів обумовлено вірогідністю формування комплексів EL2-домішка. Для досліджень були використані кристали напівізолюючого нелегованого GaAs n-типу провідності, вирощені методом Чохральського з орієнтацією (100) питомим опором ρ=7×107-2×108 Ом×см. Концентрація ЕL2, є глибокими донорами, них становила N=(1.2-1.8)×1016 см-3. Уведення домішки або здійснювалося зразки товщиною ~2 мм при температурі 900°С протягом 4-8 годин подальшим загартуванням. Також проводився контрольний відпал зразків без уведення домішок. Він відбувався у вакуумі надмірному тиску парів миш'яку тих же умовах, кадмію. Вивчення механізмів спектрів фотолюмінесценції, селективного збудження люмінесценції фотогасіння проводилося за стандартними методиками. Зроблений аналіз отриманих даних позиції структури EL2. кристалах дефіцитом галію поблизу антиструктурних дефектів AsGa (атоми галію) знаходяться вакансії Ga. У той самий час збільшення концентрації вакансій визначає саме їх локалізацію AsGa. Отже найбільш вірогідним вирішенням питання стосовно складу центру те, ймовірність утворення певного визначається концентрацією чи точкових кристалі. Зміна обумовлює комплексу AsGa-точковий дефект користь домінуючого дефекту відсутність точкового